Получение наночастиц кристаллического кремния открывает широкие перспективы для создания нового поколения компактных диодов, оптических усилителей и лазеров. Это доказывает работа ученых Института проблем лазерных и информационных технологий РАН. Ими разработана технология получения нанокристаллов кремния, упорядоченных ансамблей этих частиц на поверхности пленки из диоксида кремния, а также наночастиц кремния, легированных ионами редкоземельных элементов.
Теоретический анализ переноса энергии и излучательных процессов в таких полупроводниковых структурах выявил ряд их уникальных особенностей. Полученные результаты легли в основу технологии изготовления светодиодов в спектральной области вблизи 1.54 мкм. Существенно, что разработанный метод формирования электролюминесцентных светодиодов на основе пленок с наночастицами кремния совместим с существующей кремниевой технологией. Он может быть использован, в частности, для повышения скорости передачи данных в микропроцессорных вычислительных устройствах, в которых обмен информацией между СБИС осуществляется с помощью световых сигналов по оптической шине.
Работа выполнена при поддержке Роснауки в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007 — 2012 годы».
Сергей Викторович Рябчук, пресс-секретарь, Государственная дирекция целевой научно-технической программы, т. (495)642-00-70, доб. 1022, 8(903)217-60-95, ryabchuk1 [at] yandex [dot] ru, fcpir.ru/.
